主题为“世界芯，未来梦”的2022世界半导体大会暨南京国际半导体博览会于8月18至20日在南京国际博览中心举行。新拓三维携半导体封装数字化检测方案亮相，显微DIC测量方案专为微小尺度材料力学、芯片半导体热学性能测试等打造，可服务于高性能半导体材料研发与产业应用。

现代微电子与半导体的异质性和空间尺寸不断缩小，导致对定量全场变形数据的需求越来越大。数字图像相关技术（DIC）可用于分析材料变形和应变，但对于微观尺度的芯片半导体样件，无法从不同视角获取所需的高放大倍率图像。XTDIC-Micro显微应变测量系统，基于新拓三维独有的算法和图像校正技术，可对扫描电子显微镜图像出现的漂移和失真进行校正，获取扫描电子显微镜中试样变形的准确测量值，可以满足纳米级精度测量需求，保证微观尺度材料变形测量的精度和可靠性。

XTDIC-Micro显微应变测量系统可用于微观尺寸样件位移应变测量，还可以搭配温控箱，可提供-190°C~600°C（可定制）的温度试验环境，配套温度控制模块进行热力学验证，并进行精确的电子芯片热翘曲、CTE（膨胀系数）测量，分析不同温度下芯片材料与聚合物层材料由于温度引起的变形梯度，截面热变形效应，可得到准确的测量值。

元器件热变形测量

逆变器模块安装于散热平台，接通电源后温度升高，达到稳定后持续一段时间，再放电。采用XTDIC-Micro测量逆变器电子元器件引脚下材质基底的变形情况，选取某一点进行Z方向位移分析，可看出升温产生膨胀，恒温保持不变，降温曲线下降。

PCB板高低温热膨胀测试

在-40℃~150℃温度变化下，采用XTDIC-Micro显微应变测量系统测量PCB板表面变形应变情况，分析其热膨胀系数。

芯片截面的面内应变

温控箱温度在10分钟内从25℃升温至100℃后开始降温，采用XTDIC-Micro显微应变测量系统采集冷却过程数据，分析芯片中不同材料受热后应变变化规律。

芯片热翘曲测试

在0℃~100℃温度范围内,采用XTDIC-Micro系统测量芯片中心和四角截面，了解截线上的点到基准平面的距离随温度增加的变化，分析翘曲变形变化规律。

25℃恒定温度间隔25℃下，显微DIC测量系统采集到的2D视图，并分析对角线Z位移翘起曲线。